采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
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功率：3.1W€195W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
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功率：3.1W€195W
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类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
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功率：3.1W€195W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
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输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
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栅极电荷：33nC@4.5V
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
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功率：3.1W€195W
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
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导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
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行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：195nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
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输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：2.2V@250µA
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类型：N沟道
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栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
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