销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD19537Q3T
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
功率:2.8W€83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:50A
输入电容:1680pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: