采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：8.8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：8.8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：8.8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：8.8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：8.8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000，"16+"：22899，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL202SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@30µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1147pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000，"24+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：8.8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
