品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:64W
阈值电压:4.5V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7588,"23+":40000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:12A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@12V
连续漏极电流:25A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@290µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD95R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:73W
阈值电压:3.5V@220µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:712pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4822-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:64W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@12V
连续漏极电流:25A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6298
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1307pF@50V
连续漏极电流:14.5A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":68398,"22+":1006,"23+":2000,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6298
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1307pF@50V
连续漏极电流:14.5A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: