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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    栅极电荷: 57nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8023S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8023S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8023S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3550pF@15V

    连续漏极电流:26A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0306AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0306AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0306AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3550pF@15V

    连续漏极电流:26A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N50DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:84mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7403TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7403TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7403TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8023S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8023S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8023S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3550pF@15V

    连续漏极电流:26A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7672 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7672 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3890pF@15V

    连续漏极电流:16.9A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@16.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7403TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7403TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7403TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7672 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7672 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3890pF@15V

    连续漏极电流:16.9A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@16.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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