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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
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功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
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输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：4.3nC@4.5V
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输入电容：392pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：392pF@25V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2308CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4414P_R2_00001
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
输入电容：392pF@25V
功率：2W€21W
ECCN：EAR99
导通电阻：18mΩ@9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2308CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2308CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2308CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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