采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
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漏源电压：400V
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连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
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漏源电压：400V
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功率：1.6W
ECCN：EAR99
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输入电容：300pF@25V
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类型：N沟道
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漏源电压：400V
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输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
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功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
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功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
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输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
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功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
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输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
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功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
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连续漏极电流：170mA
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导通电阻：25Ω@120mA，0V
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输入电容：125pF@25V
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类型：N沟道
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漏源电压：400V
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输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
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阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
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功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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导通电阻：25Ω@120mA，0V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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包装清单：商品主体 * 1
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