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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    漏源电压: 800V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:900+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@100V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N80S3Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N80S3Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD360N80S3Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@6,5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3LN80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:2.63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.25Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:212W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB4N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€130W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@700µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R900P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R900P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R900P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@110µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD7N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB4N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€130W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD4N80K5 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD4N80K5 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD4N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB23N80K5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB23N80K5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB23N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2N80K5 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD2N80K5 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:95pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K2P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K2P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.9V@240µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@70µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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