采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
