采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3134NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@890mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：126150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.2pF@30V
连续漏极电流：265mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：0.49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.2pF@30V
连续漏极电流：265mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3134NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@890mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：0.49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.2pF@30V
连续漏极电流：265mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：0.49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.2pF@30V
连续漏极电流：265mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3134NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@890mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
