品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS6802TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1079pF@10V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:425mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.58nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2460,"22+":845}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@16V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS6802TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1079pF@10V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3139PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@780mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:236pF@6V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS6802TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1079pF@10V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3413_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:522pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: