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    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@20V

    连续漏极电流:1.37A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS63DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:236nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@10V

    连续漏极电流:35.1A€127.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6302TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6302TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6302TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@4.45V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:97pF@15V

    连续漏极电流:780mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@20V

    连续漏极电流:1.37A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:3.2A€2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6302GTRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6302GTRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6690,"21+":127}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6302GTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:97pF@15V

    连续漏极电流:780mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6401A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6401A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6401A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:5.1A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV304P 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV304P 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1826

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:63pF@10V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:5.97A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订23个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订23个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@20V

    连续漏极电流:1.37A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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