品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS63DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.8W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:236nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@10V
连续漏极电流:35.1A€127.5A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.45V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@15V
连续漏极电流:780mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@10V
连续漏极电流:26.6A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:3.2A€2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6690,"21+":127}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6302GTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@15V
连续漏极电流:780mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@10V
连续漏极电流:4A€5.3A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@10V
连续漏极电流:26.6A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:5.1A€6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1826
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:5.97A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: