品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150P04LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2783pF@20V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4051LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:51mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3449-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:299pF@20V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:4.65A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: