品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23382F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.35nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1357pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1291pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1291pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:236pF@6V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2475pF@6V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1012UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:31nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1344pF@10V
连续漏极电流:12.6A€20A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB15XPH
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2875pF@6V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1840pF@6V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:317mW€8.33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@6V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1357pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:236pF@6V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: