采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：92mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：127255，"05+"：45358，"06+"：1900，"07+"：44983}
包装规格(MPQ)：807psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：92mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：92mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
