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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订11个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订11个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:756pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:57mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB47XP,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB47XP,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB47XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1365pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:58mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1441EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL3415-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL3415-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL3415-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订12000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订12000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UPEZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UPEZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401UPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:756pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:57mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4441

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1120pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1401EDH-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1401EDH-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UPEZ 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UPEZ 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401UPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3415A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3415-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3415-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3415-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3415A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4441

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1120pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4441

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1120pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1401EDH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1401EDH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4441

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1120pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UPEZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UPEZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401UPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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