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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7155DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12900pF@20V
连续漏极电流：31A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2369DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS67DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA811ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€6.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS63DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@10V
连续漏极电流：35.1A€127.5A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR1309DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7633DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
