采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKVYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.64W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@400mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6898LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6912A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1024UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1A€1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：3000，"20+"：51000，"21+"：207295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6301N-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA938DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€7.8W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：4.5A€4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.5mΩ@5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
