采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：235pF@15V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：1.25W
导通电阻：48mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
