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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1016V-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1016V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:870mA€640mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2400UV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@10V

    连续漏极电流:1.03A€700mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA519EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA519EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA519EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2041UFDB-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2041UFDB-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2041UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:713pF@10V

    连续漏极电流:4.7A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UCE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UCE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UCE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA€550mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.5pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:6.25W

    连续漏极电流:11.6A€9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:6.25W

    连续漏极电流:11.6A€9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2450UV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2450UV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2450UV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@10V

    连续漏极电流:1.03A€700mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:61
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCPB5530X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3100CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@10V

    连续漏极电流:2.9A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:12A€9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2400UV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@10V

    连续漏极电流:1.03A€700mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:27
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
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