采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3F31DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A€4.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3028LSDX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：5.5A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3F31DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A€4.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8858CZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：8.6A€7.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：17mΩ@8.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4532CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.78W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：6A€4.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8858CZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：8.6A€7.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：17mΩ@8.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4532CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.78W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：6A€4.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8424H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@20V
连续漏极电流：9A€6.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3F31DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A€4.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4612
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：4.5A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4612
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：4.5A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3028LSDX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：5.5A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
