采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5N15F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@2.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5N15F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@2.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：7.7nC@10V
导通电阻：16Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：2.5W
漏源电压：800V
输入电容：160pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
功率：2.5W
输入电容：475pF@25V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：7.7nC@10V
导通电阻：16Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：2.5W
漏源电压：800V
输入电容：160pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
