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    onsemi Mosfet场效应管 FDMB2308PZ 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB2308PZ 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMB2308PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3030pF@10V

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:36mΩ@5.7A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2512-P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@75V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75301W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8030

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2038LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:3.7A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045U-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045U-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB2307NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB2307NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMB2307NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2038LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:3.7A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB3900AN 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB3900AN 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMB3900AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@13V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT200EPEX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT200EPEX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:822pF@35V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:167mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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