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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC6A07T8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V€233pF@30V
连续漏极电流：1.6A€1.3A
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
