采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60S5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9010TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9010TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA88DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：45.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA88DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：45.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA88DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：45.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA88DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：45.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：870，"16+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：870，"16+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA88DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：45.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：1000，"08+"：500，"10+"：1000，"12+"：9000，"14+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
