采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3130NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：935pF@16V
连续漏极电流：4.23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22205LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：9.9mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1034CZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3954，"11+"：2950，"12+"：119518，"13+"：750000，"18+"：3000，"19+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22205LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：9.9mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：28334，"14+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A39PZCTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
