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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2550UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52.5pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
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栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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