品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
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输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
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输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
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输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
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输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3013SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1674pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: