采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4875，"18+"：557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7250}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
