采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：76，"21+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：45984，"24+"：27166}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：67500，"23+"：2500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N60C3BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC04DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.45mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6382
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：1.85mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N10CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
