品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":827}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":17518}
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2525L,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4470pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL56N3LLH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7090,"23+":12265,"24+":11750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2925U,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:950mV@1mA
栅极电荷:92nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PH3120L,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4457pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2925U,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:950mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: