采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：20+
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：20+
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：41268}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：10A€50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：10A€50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：10A€50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
