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    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 26A
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R120P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订2个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订2个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ26N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2220pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R072M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R072M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW65R072M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5.7V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:744pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@13.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP26N40 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP26N40 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP26N40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:265W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3185pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA26N30X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@13A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA25N50E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA25N50E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STI33N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STI33N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STI33N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R120P7XKSA1 起订155个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R120P7XKSA1 起订155个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":5967}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZA60R120P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF33N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF33N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF33N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R072M1HXKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R072M1HXKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW65R072M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5.7V@4mA

    栅极电荷:22nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:744pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@13.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP26N60LPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP26N60LPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP26N60LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5020pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R120P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":40,"19+":40,"22+":389,"23+":350}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R120P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订120个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订120个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ26N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2220pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ26N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2220pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB25N50E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB25N50E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":40,"19+":40,"22+":389,"23+":350}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R120P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ26N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2220pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP26N60LPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP26N60LPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP26N60LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5020pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA26N30X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@13A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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