采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG16N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP43N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2942pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2942pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2942pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N60EFL-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2274pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2942pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP16N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
