采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4525pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6076MNZ1C9
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功率：740W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：APT30F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4525pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：STW11NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：76A
类型：N沟道
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栅极电荷：115nC@10V
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连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
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连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STW11NK90Z
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功率：200W
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栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：管件
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连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK90Z
漏源电压：900V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：9.2A
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包装方式：管件
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