品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXTA20N65X2
连续漏极电流:20A
阈值电压:4.5V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:1450pF@25V
包装方式:管件
导通电阻:185mΩ@10A,10V
功率:290W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65A-BP
连续漏极电流:20A
导通电阻:180mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:1807pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1610pF@400V
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1610pF@400V
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60S5
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:208W
漏源电压:650V
输入电容:3000pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:5.5V@1mA
导通电阻:190mΩ@13A,10V
栅极电荷:103nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP60R160P7XKSA1
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@350µA
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@6.3A,10V
漏源电压:650V
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1317pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU28N65M2
连续漏极电流:20A
导通电阻:180mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1440pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5.7V@3mA
类型:N沟道
输入电容:496pF@400V
漏源电压:650V
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R160P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@350µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1317pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@6.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":498,"22+":236}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60S5
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH20N65X
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA20N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH20N65X
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60S5
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: