品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK100N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:600W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ100N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:600W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@50A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFT100N30X3HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7660pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFT100N30X3HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7660pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX100N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK100N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:600W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK100N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:600W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN110N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:735W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500nC@10V
包装方式:管件
输入电容:23000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX100N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX100N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":740}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: