采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：250Ω
类型：P通道
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：1V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1025P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1025P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2HNK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
