品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
功率:3.3W
栅极电荷:0.9nC@10V
连续漏极电流:1A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: