采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：30174，"MI+"：1000，"11+"：2000，"06+"：14000，"14+"：1208，"15+"：1000，"16+"：1200}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
