采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13626，"23+"：9144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9100pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9100pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
