销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：48W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：150nC@20V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7150pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCU60N04-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.25W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1800pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：13mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：56.8W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3240pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：57W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCU60N04A-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：70W

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1650pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：7mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5660pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.3mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5660pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.3mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA54DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：36.7W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：48nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5300pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.35mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.7W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.7W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5660pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.3mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.7W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.7W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：48W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：150nC@20V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7150pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：56.8W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3240pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.7W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5660pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.3mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：57W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5660pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.3mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：56.8W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3240pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5660pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.3mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCU60N04A-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：70W

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1650pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：7mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：56.8W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3240pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：56.8W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3240pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.7W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCU60N04-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.25W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1800pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：13mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：27.7W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：57W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3750pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：2.65mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：56.8W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3240pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCU60N04A-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：70W

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1650pF@20V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：7mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1