品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7240TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9250pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7240TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9250pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7240TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9250pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: