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    漏源电压: 20V
    行业应用: 工业
    阈值电压: 2V@250µA
    当前匹配商品:80+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":8990,"08+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGD3502NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4.3A€3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7456TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7456TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7456TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7456TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE810DF-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE810DF-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:07+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIE810DF-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":117000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3402PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMDF3N02HDR2 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMDF3N02HDR2 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMDF3N02HDR2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@16V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3402PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订355个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订355个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":117000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3402PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7456TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE810DF-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE810DF-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:07+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIE810DF-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7456TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7456TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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