采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6968DCA RVG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6968SDCA RVG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4204DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：19.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3154NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2800_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB912DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：216mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：775pF@10V
类型：2N沟道（双）
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2800_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：53990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6898LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1A€1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
