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    当前匹配商品:30+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135 起订2671个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135 起订2671个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":10000,"9999":173}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN34LN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@20V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN27UN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN27UN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":20000,"9999":250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN27UN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:700mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NXP Mosfet场效应管 PMN27UN,135 起订2671个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN27UN,135 起订2671个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":20000,"9999":250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN27UN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:700mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAX 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAX 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订2991个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订2991个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"24+":39000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":10000,"9999":173}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN34LN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@20V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"24+":39000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN34LN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:13.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@20V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN27UN,135 起订2671个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN27UN,135 起订2671个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN27UN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:700mV@1mA

    栅极电荷:10.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    阈值电压:1.25V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    连续漏极电流:5.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:500mW€8.33W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1410pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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