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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
