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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：7960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
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输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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类型：N沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
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输入电容：339pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
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类型：N沟道
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漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7244，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-13
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
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功率：940mW
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类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7244，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
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类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：940mW
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：940mW
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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类型：N沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
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栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
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连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
