品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.62nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.62nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3139PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@780mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@16V
连续漏极电流:450mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@16V
连续漏极电流:450mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.62nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.62nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.62nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: