采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
